دینا فایل / پاورپوینت درس نانو الکترونیک مبحث ترانزیستورهای اثر میدانی با نانو لوله های کربنی
پاورپوینت درس نانو الکترونیک مبحث ترانزیستورهای اثر میدانی با نانو لوله های کربنی
پاورپوینت درس نانو الکترونیک مبحث ترانزیستورهای اثر میدانی با نانو لوله های کربنی
دانلود پاورپوینت درس نانو الکترونیک مبحث ترانزیستورهای اثر میدانی با نانو لوله های کربنی،
فرمت فایل : PPT قابل ویرایش.
تعداد اسلاید : 18
فرمت فایل : PPT قابل ویرایش.
تعداد اسلاید : 18
فهرست:
مقدمه ای بر نانولوله های کربنی
روش های ساخت نانو لوله های کربنی
CNTFET با گیت پشتی
CNTFET با گیت بالا
CNTFET با گیت دور نانو لوله
مراحل ساخت CNTFETگيت دور نانولوله
مشکلات CNTFET
مقايسه پارامترهای كليدی ترانزيستورهای اثر ميدان مبتنی بر نانولوله های كربنی با MOSFET bulk و UTSOI MOSFET
بررسی تئوری جريان درين در ترانزيستور اثر ميدان نانولوله كربنی گيت
کاربرد :ساخت گیت NOT با CNTFET
کاربردCNTFET در سنسور گاز
نتیجه گیری
ترانزیستور اثر میدانی با نانو لوله کربنی با گیت بالا
در هندسه ترانزيستورهای گيت بالايی كه اولين بار توسط Bachtold وهمکارانش ارائه
شده است ، برای بهره بيشتر ، نانولوله های كربنی به طور كامل درون عايق گيت قرار داده می شود . برخلاف ترانزيستورهای اثر ميدان نانولوله كربنی گيت پشتی ، می توان تعداد زيادی از اين نوع ترانزيستور را روی يك ويفر ساخت ، به دليل اينکه گيت های هر يك به
صورت مجزا می باشد . همچنين با توجه به ضخامت كم دی الکتريك گيت ، ميدان الکتريکی بزرگتری را می توان با يك ولتاژ كم روی نانولوله كربنی ايجاد كرد . با وجود روند ساخت پيچيده تر نسبت به ترانزيستورهای اثر ميدان نانولوله كربنی گيت پشتی ، مزايا فوق باعث می شوند كه اين نوع ترجيح داده شوند
مشکلات ترانزیستورهای اثرمیدانی با نانو لوله های کربنی
تغییر پذیری در قطر نانولوله های کربنی
پروسه ساخت نانو لوله ها باعث شده است که در قطر لوله ها تغییرپذیری وجود داشته باشد که معمولا مقداری بین1 تا2 نانومتر داراست. با تغییر قطر نانولوله شکاف باند تغییر کرده و در نتیجه ولتاژ آستانه ترانزیستور و جریان ترانزیستور تغییر می کند
نامرتبی در نانولوله ها
عدم وجود کنترل دقیق بروی موقعیت یابی CNT ها در هنگام ساخت CNFET ، باعث ایجاد نامنظمی درنانو لوله ها میشود .پیشرفتهای قابل ملاحظه ای برای ساخت CNFET به صورت مرتب صورت گرفته است و در حال حاضر کمتر از نیم درصد از نانولوله های ساخته شده روی بستر تک کریستال الماس نامنظم هستند .نانولوله های نامنظم ممکن است باعث ایجاد اتصال کوتاه بین خروجی و تغذیه شده
درس نانو الکترونیک مبحث ترانزیستورهای اثر میدانی با نانو لوله های کربنی, دانلود پاورپوینت درس نانو الکترونیک مبحث ترانزیستورهای اثر میدانی با نانو لوله های کربنی, پاورپوینت در مورد درس نانو الکترونیک مبحث ترانزیستورهای اثر میدانی با نانو لوله های کرب,,,
فایل های جدید
یکی از تب ها رو انتخاب بکنید