کارکردترانزیستور دو قطبی پارازیتی در ابزار 40 nm PD SOI NMOS 

مقاله ترجمه شده انگلیسی به فارسی عنوان انگلیسی: Function of the parasitic bipolar transistor in the 40 nm PD SOI NMOS device considering the floating body effect عنوان فارسی: کارکردترانزیستور دو قطبی پارازیتی در ابزار 40 nm PD SOI NMOS با در نظر گرفن تأثیر جسم شناور چکیده این مقاله، کارکرد وسیله دو قطبی پارازیتی را در ابزار 40 nm PD SOI NMOS با تأثیر جسم شناور گزارش می کند. با استفاده از یک روش استخراج یکپارچه، کارکرد ابزار دو قطبی پارازیتی در طول DC و عملیات فراگذری می تواند مدل سازی شود. در طول گذر به ابزار تأکید بر ولتاژ مرحله ای از 0V تا 2V در دریچه،