دینا فایل / پاورپوینت بهبود لیزر های چاه کوانتومی کرنشی رشد داده شده توسط روش MOVPE
پاورپوینت بهبود لیزر های چاه کوانتومی کرنشی رشد داده شده توسط روش MOVPE
پاورپوینت بهبود لیزر های چاه کوانتومی کرنشی رشد داده شده توسط روش MOVPE
در قالب ppt و در 16 اسلاید، قابل ویرایش.
بخشی از متن پاورپوینت:
مقدمه کرنش در باند هدایت نیمه هادی های III/V باعث تغییر مکان لبه باند میشود
افزایش بهره تفاضلی
دسترسی به لیزر تک مود در جریان های تزریقی کمتر
جفت شدن باند های حفره سنگین با مود TE
جفت شدن باندهای حفره سبک با مود TM
تغییر نرخ بازترکیب اوژه
اثر کرنش در باند ظرفیت شدیدتر است و در ازای تغییرات گاف انرژی اختلاف انرژی بین حفره های های سبک و سنگین تغییر می کند
روش MOVPE
بهینه سازی لیزرهای چاه کوانتومی کرنشی رشد داده شده با MOVPE
لیزرهای نیمه هادی 1.3 um جز کلیدی ارتباطات نوری امروزه هستند
این لیزرها عموما روی InP ساخته می شوند.مشخصه دمایی ضعیف،عدم منعکس کننده های براگ ( bragg ) مناسب و قیمت بالا از معایب این لیزرها است
بهینه سازی شرایط رشد چاه های کوانتومی InGaAs
به دلیل عدم تطابق شبکه InGaAs و GaAs دو مشکل به وجود می آید:
با توجه به مشخصه PL بهترین دمای رشد 510 C می باشد
در دمای پایین منجر به مشخصه نوری ضعیفی می شود
رآکتور فشار فاکتور مهم دیگری است که بر حرکت اتم های ایندیم بر سطح ویفر تاثیر می گذارد
در فشار رشد 150mbar شدت لومینسانس به حداکثر مقدار خود می رسد
نسبت گروه V/III باعث کاهش حرکت اتم های ایندیم و از بین بردن جزیره های نقص می شود
افزایش بهره تفاضلی
دسترسی به لیزر تک مود در جریان های تزریقی کمتر
جفت شدن باند های حفره سنگین با مود TE
جفت شدن باندهای حفره سبک با مود TM
تغییر نرخ بازترکیب اوژه
اثر کرنش در باند ظرفیت شدیدتر است و در ازای تغییرات گاف انرژی اختلاف انرژی بین حفره های های سبک و سنگین تغییر می کند
روش MOVPE
بهینه سازی لیزرهای چاه کوانتومی کرنشی رشد داده شده با MOVPE
لیزرهای نیمه هادی 1.3 um جز کلیدی ارتباطات نوری امروزه هستند
این لیزرها عموما روی InP ساخته می شوند.مشخصه دمایی ضعیف،عدم منعکس کننده های براگ ( bragg ) مناسب و قیمت بالا از معایب این لیزرها است
بهینه سازی شرایط رشد چاه های کوانتومی InGaAs
به دلیل عدم تطابق شبکه InGaAs و GaAs دو مشکل به وجود می آید:
با توجه به مشخصه PL بهترین دمای رشد 510 C می باشد
در دمای پایین منجر به مشخصه نوری ضعیفی می شود
رآکتور فشار فاکتور مهم دیگری است که بر حرکت اتم های ایندیم بر سطح ویفر تاثیر می گذارد
در فشار رشد 150mbar شدت لومینسانس به حداکثر مقدار خود می رسد
نسبت گروه V/III باعث کاهش حرکت اتم های ایندیم و از بین بردن جزیره های نقص می شود
بهبود لیزر های چاه کوانتومی کرنشی رشد داده شده توسط روش MOVPE, دانلود پاورپوینت بهبود لیزر های چاه کوانتومی کرنشی رشد داده شده توسط روش MOVPE, پاورپوینت در مورد بهبود لیزر های چاه کوانتومی کرنشی رشد داده شده توسط روش MOVPE, تحقیق بهبود لیزر های چاه ک,,,
فایل های جدید
یکی از تب ها رو انتخاب بکنید