دینا فایل / تحقیق ساختارهای دور آلاییده
تحقیق ساختارهای دور آلاییده
تحقیق ساختارهای دور آلاییده
دانلود تحقیق با موضوع ساختارهای دور آلاییده،
در قالب word و در 151 صفحه، قابل ویرایش.
فهرست:
فصل اول : ساختارهاي دورآلاييده
مقدمه
1-1 نيمه رسانا
1-2 نيمه رسانا با گذار مستقيم و غير مستقيم
1-3 جرم موثر
1-4 نيمه رساناي ذاتي
1-5 نيمه رساناي غير ذاتي و آلايش
1-6 نيمه رساناهاي Si و Ge
1-7 رشد بلور
1-7-1 رشد حجمي بلور
1-7-2 رشد رونشستي مواد
1-7-3 رونشستي فاز مايع
1-7-4 رونشستي فاز بخار
1-7-5 رونشستي پرتو مولکولي
1-8 ساختارهاي ناهمگون
1-9 توزيع حالتهاي انرژي الکترون‌ها در چاه کوانتومي
1-10 انواع آلايش
1-10-1 آلايش کپه¬اي
1-10-2 آلايش مدوله شده (دورآلاييدگي)
1-10-3 گاز الکتروني دوبعدي
1-10-4 گاز حفره¬اي دوبعدي
1- 11 ویژگی و انواع ساختارهاي دور آلاييده
1-11-1 انواع ساختارهاي دورآلاييده به¬¬لحاظ ترتيب رشد لايه¬ها
1-11-2 انواع ساختار دور آلاييده به لحاظ نوع آلاييدگي ( n يا p )
1-11-3 انواع ساختار دور آلاييده دريچه¬دار
1-12 کاربرد ساختارهاي دور آلاييده
1-12-1 JFET
1-12-2 MESFET
1-12-3 MESFET پيوندگاه ناهمگون
فصل دوم : اتصال فلز نيمه رسانا (سد شاتکي)
مقدمه
2-1 شرط ايده آل و حالتهاي سطحي
2-2 لايه تهي
2-3 اثر شاتکي
2-4 مشخصه ارتفاع سد
2-4-1 تعريف عمومي و کلي از ارتفاع سد
2-4-2 اندازه گيري ارتفاع سد
2-4-3 اندازه گيري جريان – ولتاژ
2-4-4 اندازه گيري انرژي فعال سازي
2-4-5 اندازه گيري ولتاژ- ظرفيت
2-4-6 تنظيم ارتفاع سد
2-4-7 کاهش سد
2-4-8 افزايش سد
2-5 اتصالات يکسوساز .
2-6 سدهاي شاتکي نمونه
فصل سوم : انتقال بار در ساختارهاي دورآلاييده
مقدمه
3-1 ساختار دور آلاييده معکوس p-Si/Si1-XGeX/Si .
3-2 ساختار نوار ظرفيت ساختار دور آلاييده معکوسp-Si/SiGe/Si
3-3 محاسبه انتقال بار در ساختارهاي دور آلاييده.
3-3-1 آلايش مدوله شده ايده¬آل
3-3-2 محاسبات خود سازگار چگالي سطحي حاملها
3-3-3 اثر بارهاي سطحي بر چگالي گاز حفره¬اي
3-4 روشهاي کنترل چگالي سطحي حاملها
3-4-1 تاثير تابش نور بر چگالي سطحي حاملها
3-4-2 تاثير ضخامت لايه پوششي بر چگالي سطحي حاملها
3-4-3 دريچه دار کردن ساختار دور آلاييده
3-5 ساختارهاي دورآلاييده معکوس p-Si/SiGe/Si با دريچه بالا
3-6 انتقال بار در ساختارهاي دورآلاييده معکوس با دريچه بالا
3-7 تاثير باياسهاي مختلف بر روي چگالي سطحي ¬حفره¬ها
3-8 ملاحظات تابع موج.
3-9 وابستگي Zav به چگالي سطحي حاملها در ساختارهاي بي دريچه
3-10 وابستگي Zav به چگالي سطحي حاملها در ساختارهاي دريچه¬دار
فصل چهارم : نتايج محاسبات
مقدم
4-1 محاسبات نظري ساختارهاي دورآلاييده بي دريچه Si/SiGe/Si
4-1-1 محاسبات نظري ns برحسب Ls
4-1-2 محاسبات نظري ns برحسب NA
4-1-3 محاسبات نظري ns برحسب nc
4-1-4 محاسبات نظري کليه انرژيهاي دخيل برحسب Ls
4-2 محاسبات نظري ساختارهاي دورآلاييده دريچه¬دار Si/SiGe/Si
4-2-1 محاسبات نظري ns برحسب vg
4-2-2 بررسي نمونه ها با nsur متغير و تابعي خطي از vg با شيب مثبت
4-2-3 بررسي نمونه ها با nsur متغير و تابعي خطي از vg با شيب منفي
فصل پنجم : نتايج
5-1مقايسه سد شاتکي با ساختار دورآلاييده دريچه دار p-Si/SiGe/Si
5-2 بررسي نمودارهاي مربوط به چهار نمونه
پيوست
چکيده انگليسي (Abstract)
منابع
بخشی از متن تحقیق:
امروزه قطعات جديدي در دست تهيه¬اند که از لايه¬هاي نازک متوالي نيمه¬رساناهاي مختلف تشکيل مي شوند . هر لايه داراي ضخامت مشخصي است که به دقت مورد کنترل قرار مي گيرد و از مرتبه 10 نانومتر است . اينها ساختارهاي ناهمگون ناميده مي شوند . خواص الکتروني لايه¬هاي بسيار نازک را مي توان با بررسي ساده¬اي که برخي از اصول اساسي فيزيک کوانتومي را نشان مي دهد به دست آورد [31] .
در اين فصل ابتدا به بررسي خواص نيمه¬رسانا مي پردازيم سپس با نيمه¬رساناهاي سيليکان و ژرمانيوم آشنا مي شويم و بعد از آن انواع روشهاي رشد رونشستي و ساختارهاي ناهمگون را مورد بررسي قرار مي دهيم و همچنين ساختارهاي دورآلاييده را بررسي مي کنيم و در آخر نيز به بررسي کاربرد ساختارهاي دورآلاييده و ترانزيستورهاي اثر ميداني مي پردازيم.
1-1 نيمه¬رسانا:
در مدل الکترون مستقل الکترون¬هاي نوار کاملاً پر هيچ جرياني را حمل نمي¬کنند اين يک روش اساسي براي تشخيص عايق¬ها و فلزات از هم است . در حالت زمينه يک عايق تمام نوارها يا کاملاً پر يا کاملاً خالي هستند اما در حالت زمينه يک فلز حداقل يک نوار به طور جزئي پر است . روش ديگر تشخيص عايق¬ها و فلزات بحث گاف انرژي است گاف انرژي يعني فاصله بين بالاترين نوار پر و پايين¬ترين نوار خالي .
يک جامد با يک گاف انرژي در عايق خواهد بود. در نتيجه با گرم کردن عايق همچنانکه دماي آن افزايش مي¬يابد بعضي از الکترون¬ها به طور گرمايي تحريک شده و از گاف انرژي به سمت پايين¬ترين نوار غير اشغال گذار مي¬کنند . جاي خالي الکترون¬ها در نوار ظرفيت را حفره مي¬نامند اين حفره¬ها ماهيتي مانند بار مثبت دارند در نتيجه در روند رسانش هم الکترون¬ها و هم حفره¬ها شرکت مي¬کنند . الکترون¬هاي برانگيخته شده در پايين¬ترين قسمت نوار رسانش قرار مي-گيرند در صورتيکه حفره¬ها در بالاترين قسمت نوار ظرفيت واقع مي¬شوند .
جامداتي که در عايق بوده اما داراي گاف انرژي به اندازه¬اي هستند که برانگيزش گرمايي منجر به مشاهده رسانشي در شود به عنوان نيمه¬رسانا شناخته مي¬شود .
ساده¬ترين عناصر نيمه رسانا از گروه چهارم جدول تناوبي هستند که به آنها نيمه¬رساناهاي تک عنصري مي¬گويند سيليکون و ژرمانيوم دو عنصر مهم نيمه¬رساناها هستند . علاوه بر عناصر نيمه-رسانا ترکيبات گوناگون نيمه¬رسانا هم وجود دارد . GaAsيک نمونه نيمه¬رساناهاي است
ساختارهای دور آلاییده, دانلود تحقیق ساختارهای دور آلاییده, تحقیق در مورد ساختارهای دور آلاییده, تحقیق ساختارهای دور آلاییده, تحقیق درباره ساختارهای دور آلاییده, تحقیق راجع به ساختارهای دور آلاییده, تحقیق آماده ساختارهای دور آلاییده, تحقیق در مورد ساخ,,,
فایل های جدید
یکی از تب ها رو انتخاب بکنید