دینا فایل / پاورپوینت ترانزيستورهاي اثر ميدان (FET)
پاورپوینت ترانزيستورهاي اثر ميدان (FET)
فرمت فایل: پاورپوینت قابل ویرایش تعداد اسلاید: 20
قسمتی از پاورپوینت :
ترانزيستور اثر ميدان
Field Effect Transistor
كلمه ترانزيستور از دو كلمه ترانس (انتقال) و رزيستور (مقاومت) تشكيل شده است و قطعه اي است كه از طريق انتقال مقاومت به خروجي باعث تقويت مي شود.
ترانزیستور اثر میدان، دسته‌ای ازترانزيستورها هستند که مبنای کار کنترل جریان در آن‌ها توسط یک ميدان الكتريكي صورت می‌گیرد. با توجه به اینکه در این ترانزیستورها تنها یک نوع حامل بار (الکترون آزاد یا حفره) در ایجاد جریان الکتریکی دخالت دارند، می‌توان آن‌ها را جزو ترانزیستورهای تک‌قطبی محسوب کرد
ترانزيستور اثر ميدان با گيت عايق شده
Isolated Gate Field Effect Transistor (IGFET)
به دليل افزايش جريان نشتي گيت – سورس با افزايش دماي محيط و كاهش مقاومت ورودي آن گيت ترانزيستور با يك لايه اكسيد سيليكون از كانال جدا شده و هيچ جرياني از آن عبور نمي كند . (مقاومت ورودي بي نهايت)
ترانزيستورجديد MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET) ناميده مي شود.
MOSFET P-channel
در تکنولوژی CMOS
از یک PMOS و یک NMOS استفاده می شود.
دیود شاتکی بوسیله پیوند یک نیمه رسانا و یک فلز ایجاد میشود که به این پیوند،پیوند فلز – نیمه هادی گفته میشود معمولا فلز مورد استفاده موليبدنوم، پلاتين، كروم و یا تنگستن است و نیمه هادی از نوع N میباشد. قسمت فلزی بعنوان آند و نیمه هادی نوع N بعنوان کاتد دیود عمل میکند.
پاورپوینت ترانزیستورهای اثر میدان FET , پاورپوینت ,ترانزیستور, اثر, میدان,FET