دینا فایل / مطالعه شبیه سازی کوانتوم در CNTFETهای یک دریچه ای هالویی با یک ماده دوگانه
مطالعه شبیه سازی کوانتوم در CNTFETهای یک دریچه ای هالویی با یک ماده دوگانه
مطالعه شبیه سازی کوانتوم در CNTFETهای یک دریچه ای هالویی با یک ماده دوگانه
مقاله ترجمه شده انگلیسی به فارسی Quantum simulation study of single halo dual-material gate CNTFETs عنوان فارسی: مطالعه شبیه سازی کوانتوم در CNTFETهای یک دریچه ای هالویی با یک ماده دوگانه چکیده برای اولین بار، تزانریستورهای میدانی نانوتیوبی کربنی یک دریچه ای هالویی با یک مده دوگانه (CNTFETها) و یک منبع غلیظ و کشش های اسنبساطی در قسمت زهکشی پیشنهاد شده اند و با استفاده از شبیه سازی کوانتومی، شبیه سازی شدند. شبیه سازی ها وابسته به توابع گرین غیرموازنه ای و دو بعدی (NEGF) هستند و به صورت خودکار و تناسبی ار طریق معادلات پوآسون حل می شوند. چهار ساختار اصلی CNTFETها بر اساس ویژگی های الکتریکی مورد مقایسه قرار گرفتند، و این
مطالعه شبیه سازی کوانتوم در CNTFETهای یک دریچه ای هالویی با یک ماده دوگانه