خواص فیزیکی نیمرساناهای ترموالکتریک

1-1- خواص فیزیکی اسکوتریدایت CoSb3 1

1-2- خواص فیزیکی اسکوتریدایت CoSb3 با ناخالصی Fe. 6

1-3- خواص فیزیکی کلتریت Si،  Sr8GaxSi46-x 9

1-4- خواص فیزیکی آلیاژ Zn4Sb3 11

1- 5- خواص فیزیکی کلکوجناید سرب.. 18

1-6- خواص فیزیکی نانو ساختار 1- بعدی Bi2Te3 23

1-7- خواص فیزیکی نانوتیوپ کربن.. 27

1- 8- خواص فیزیکی نانومیله های Bi2S3 31

مراجع 34

فهرست شکل­ها

  شکل 1- 1: پراش پرتو x (XRD) پودرهای CoSb3 تهیه شده به روش سلووترمال در دمای مختلف و به مدت 24 ساعت [2] 2

شکل 1- 2: طرح پراش پرتو x (XRD) نمونههایE250-24, E250-48 ,E250-72   که در دمای C°250 به ترتیب به مدت 24، 48 و 72 ساعت و نمونه بالک HP500 تهیه شداند [2] 3

شکل 1-3 : تصویر  FESEMپودرهای CoSb3 : (a)  E250-72و (b)  نمونه  HP500 [2] 5

شکل 1-4 : وابستگی دمایی رسانندگی الکتریکی و ضرییب سیبک نمونه تحت گرما HP500 [2] 5

شکل 1-5 : تغییرات خواص الکترونی Co1-xFexSb3 با ناخالصی آهن : (a) ضریب هال، (b)  چگالی حامل و  (c) تحرک حامل [5] 7

شکل 1- 6 : تغییرات مقامت ویژه الکتریکی CoSb3 با ناخالصی آهن بر حسب چگالی حامل [5] 8

شکل 1- 7 : تغییرات ضریب سیبک CoSb3 با ناخالصی آهن بر حسب چگالی حامل [5] 8

شکل 1- 8 : طرح پراش پرتو ایکس، ARC-Gax (20 ،16 ،10 ،5 ،0x =) و پراش Sr8Ga16Si30 [7] 10

شکل 1-9: میکروگراف الکترونی ARC-Ga16 . تصویر در b بزرگنمایی 10 برابری ناحیه مشخص شده با مربع سفید در a است [7]. 10

شکل 1- 10: مقاومت ویژه الکتریکی Sr8Ga16Si30 بر حسب دما [7] 11

شکل 1- 11: پراش پرتو X محصول بدست آمده به روش شیمیایی در THF [12] 13

شکل 1- 12: پراش پرتو X محصول بدست آمده به روش شیمیایی به واسطه THF + DMSO [12] 14

شکل 1-13: آنالیز EDS و توزیع شیمیایی داخلی Zn و پوسته ی Sb : (a) نمودار توزیع درصد اتمی  Znو Sb ، (b) میکروساختار و اسکن ED ذرات از هسته به پوسته [12] 15

شکل 1-14: طیف سنجی رامان (a) ساختار پوسته (b) فاز Zn4Sb3 ذرات [12] 16

شکل 1- 15: الگوی پراش پرتو X محصول بدست آمده از یک آمپول کوارتز برای 6 ساعت در دمای C°300 [12] 17

شکل 1- 16: عکسهایSEM  پودرهای سنتز شده [12] 17

شکل 1- 17: عکسهای  TEMمشاهده شده از پودر [12] 18

شکل 1- 18: وابستگی دمایی ضریب سیبک مشاهده شده از پودر [12] 18

شکل 1- 19: تغییرات ضریب جذب بر حسب طول موج برای لایه های PbTe، PbSe و PbS [19] 19

شکل 1- 20: نمودارهای (αhν) 2 بر حسب hν برای تعیین گاف نواری لایه های PbTe، PbSe و PbS [19] 20

شكل 1-21: طرحهاي XRD لايه هاي PbTe، PbSe و PbS [19] 22

شکل 1- 22: الگوی پراش پرتو x  نمونههای Bi2Te3 تهیه شده (a) بدون ماده فعالسازی (b) با SDBS (c) با  PVP [29] 24

شکل 1- 23: عکس SEM، Bi2Te3 تهیه شده در غیاب ماده فعالسازی [29] 25

شکل 1- 24: عکس SEM، Bi2Te3 تهیه شده با SDBS در دماهای (a) k °373، (b) k °353 [29] 25

شکل 1-25: طرح شماتیک از مکانیسم شکلگیری (a) نانوسیم، (b) نانوتیوپ، (c) نانوپولک و(d) درخت گل [29] 26

شکل 1- 26: عکس TEM، Bi2Te3 تهیه شده با SDBS در دماهای (a) نانوتیوپ ، (b) نانوسیم [29] 27

شکل 1- 27: طرح پراش XRD نانوتیوپ کربن [34] 28

شکل 1- 28: (a) عکس TEM تعدادی از نانوتیوپها با انتهای بسته ، (b) عکس TEM نانوتیوپ تک دیواره، (c) الگوی SAED که از مرکز نانوتیوپ در(b) گرفته شده است و(d) عکس TEM یک نانوتیوپ با دو انتهای بسته و ذرات کاتالیزور در نوک تیز نانوتیوپ [34] 29

شکل 1- 29: طیف EDX ذرات کاتالیزور کپسوله شده در نوکهای تیز نانوتیوپ کربن [34] 29

شکل 1- 30: عکس  HRTEMنانوتیوپها که ساختمان آن مرکب از لایه های گرافنی است. [34] 30

شکل 1- 31: طیف رامان نانوتیوپ کربن که دو پیک قوی در 1587 و  cm-11346 را نشان میدهد. [34] 30

شکل 1- 32: (a) عکس SEM لايه هاي Bi2S3 و تصویر کوچک، عکس از قسمت مرکزی آن است، (b) تصویر TEM نانومیله های  Bi2S3و تصویر کوچک طرحED  آن است. [39] 31

شکل 1- 33: وابستگی دمایی چگالی حاملها (مربع خالی) و تحرک حاملها (دایرههای پر) برای لایه های Bi2S3 [39] 32

شکل 1- 34: وابستگی دمایی مقاومت ویژه الکتریکی (مربع خالی) و ضریب سیبک (دایرههای پر) و فاکتور توان (مثلث پر)، برای لایه های Bi2S3 [39] 33

فهرست جدول­ها

 جدول 1- 1: پارامترهای الکتریکی و اپتیکی لایه های نازک PbTe، PbSe و PbS [19] 21

جدول 1- 2: پارامترهای ساختاری لایه های نازک PbTe، PbSe و PbS [19] 23